Как сообщает ТАСС, специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН придумали оригинальное решение задачи создания покрытия из карбида кремния. При использовании в микросхемах этот материал надежнее просто кремния, используемого традиционно.
Аналогичные технологии западного образца подразумевают нанесение тончайшей пленки карбида кремния на кремниевое основание. В основании должна быть удалена часть атомов, чтобы пленка крепко держалась за эти "неровности".
Отечественные ученые изобрели альтернативный метод – "креплениями" служат атомы углерода, вкрапленные вместо атомов кремния в подложку без разрушения ее кристаллической структуры. Обработка происходит при помощи обычного угарного газа.
Такие микросхемы, выдерживающие температуры до 300 градусов и радиацию, могут пригодиться в космосе, атомной энергетике, квантовых компьютерах и инновационных медицинских приборах.
