Компания Samsung отчиталась об отгрузках своим заказчикам 10-нанометровых модулей оперативной памяти DDR4 DRAM, произведенных с использованием литографии в жестком ультрафиолете (EUV). Объем первой на рынке партии чипов на базе инновационного техпроцесса составил миллион штук.
Память с EUV-литографией нового поколения — важный шаг для будущего ПК и мобильных устройств. Освоенный Samsung техпроцесс позволяет увеличить масштабы производства и сэкономить время на разработку модулей, что было очень сложно сделать со старыми технологиями, а вместе с этим — уменьшить процент брака.
Тем не менее, скорого появления передовой оперативки в компьютерах и смартфонах ожидать не стоит. В Samsung переориентируют все свои линии на EUV-память только к следующему году, а серийное производство более быстрых DDR5- и LPDDR5-модулей смогут наладить не ранее 2021-го.
Расширить применение сканеров диапазона EUV намерены и другие крупнейшие производители полупроводников, включая Intel и TSMC — один из ключевых поставщиков Apple. Если Samsung взялась за активное использование EUV-сканеров в 2018 году, то Intel рассчитывает выпустить первые 7-нм продукты только к 2021 году.
